新闻动态
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202510-09
- 全球首颗！复旦团队成功研发二维-硅基混合
- 10月9日，复旦大学再次传来重磅消息：继今年早些时候推出“破晓（PoX）”皮秒级二维闪存器件后，该校周鹏-刘春森团队在二维电子器件的工程化进程中取得又一重大突破...
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202504-17
- 固态SEO2晶体提示其独特的晶体结构与质
- 晶体学在材料科学、物理学等领域的研究中占据着重要地位。晶体作为一种具有周期性排列的固体，其结构决定了其物理、化学性质。本文将围绕固态SEO2晶体展开，探讨其晶体...
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202504-03
- 探索SeO136o,介绍新型二维材料的神
- 材料科学领域的研究越来越受到人们的关注。二维材料作为一种新兴的材料领域，具有独特的物理和化学性质，在电子、能源、催化等领域具有广泛的应用前景。本文将围绕SeO1...
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202504-02
- 中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究
- 中国科学技术大学杨树教授和龙世兵教授团队在GaN器件抗辐射研究方面取得重大突破，成功研制出可在高能质子辐照下保持1700V以上击穿电压和导电率调控能力的垂直型G...
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202503-13
- 中科院量子材料新突破：单层二硒化钨中的神
- 中国科学院半导体研究所与浙江大学合作，利用理论计算在单层二硒化钨(WSe₂)中发现了高度稳定的拓扑激子绝缘体。研究表明，大量激子凝聚时，材料表面会形成独特的“量...
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202501-13
- 国星光电：暂未布局第四代半导体封装项目
- 1月13日，国星光电在投资者互动平台表示，公司“宽蔡带氧化镓单晶材料与器件”项目是与高校合作开发的项目，公司负责封装开发，目前处于试生产阶段暂未推向市场，公司暂...
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202501-09
- 中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MO
- 中科院微电子所刘新宇研究员团队与合作伙伴成功研制出高性能低成本1200VSiCMOSFET，该成果基于新型6英寸SiC复合衬底。SiC晶圆产业面临产能扩张与高质...
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202412-24
- 基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFE
- 近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200VSiCMOSF...
