新闻动态
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202501-20
- 华虹宏力“沟槽栅的制造方法”专利获授权
- 上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项关于“沟槽栅制造方法”的专利授权（授权公告号：CN114220734B，授权公告日：2024年12月10日，申请日：2...
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202501-14
- 华虹宏力“闪存器件的制备方法”专利公布
- 天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“闪存器件的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月21日，申请公布号为CN119136552A。本申请提供一种...
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202412-26
- 华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法
- 天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“双自对准mosfet的制造方法”专利公布，申请公布日为2025年11月15日，申请公布号为cn118969617a。
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202412-25
- 【公布】华虹宏力“Nord闪存及Nord
- 聚焦中国科技前沿：五项重大科研突破本文报道了中国近期在科技领域取得的五项重大进展，涵盖半导体、通信、低空经济、光学和材料科学等多个领域。1.华虹宏力新型闪存测试...
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202412-25
- 华虹宏力“Nord闪存及Nord闪存电性
- 上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”的新专利（申请公布号：CN118973262A，申请公布日：202...
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